Cпасибо Valeri.
После всех поисков и переделок вышло вот так:
Патент № 649898. Япония. МПК С30 B29/42. Production of silicon-containing GaAs single crystal / Mori Masayuki; Yamamoto Hiromasa; Oda Osamu; Nippon Mining – JP19870165908; заявл. 02.07.1987; опубл. 13.01.1989.
Остальные данные не нашёл.
|